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Al2O3在高温、低真空条件下挥发，形成蒸汽，由于锅盖处的温度较低，Al2O3蒸汽发生凝结，形成Al2O3晶体。锅盖处的挥发物的主要成分是Al2O3，由于导热系数较低，直接导致锅盖处的导热能力降低，使得坩埚内的温场控制困难。挥发物在加热棒上部(低温区)沉积，主要成分为MoO3及WO3的混合物。由于挥发物沉积的主要成分为钨钼，与加热器的组分一致，均为金属良导体。加热棒变粗后，导致加热棒的电阻减少，发热量降低。在同样的生长条件下，需要更大的加热功率，造成能源损耗。
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采用智能化控温系统，移相触发，可控硅控制，炉采用氧化铝多晶纤维材料，保温效果好，双层壳体结构，带有风冷和水冷系统，能快速降温，炉门配有循环水冷，防止密封圈过快老化，保炉门与炉胆的可靠密封。主要用途和适用范围\可应用于电子元器件，新型材料及粉体材料的真空或气氛条件下的热工艺。也用于冶金，机械，轻工，商检，高等院校及科研部门，工矿企业电子陶瓷产品的预烧，烧结，钎焊等工艺。主要能和特点：1。产品介绍：SG-XQL1400型箱式真空气氛炉以 硅碳棒为加热元件加热元件采用 硅碳棒充气系统，温控系统进行程序控制，作简单方便， 无误。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
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